رشد استرانسکیی-کرستانوف
رُشد اِسترانسکیی-کِرستانوف (رشد اس‌کی، همچنین استرانسکی–کرستانوف یا اِسترانسکیی–کرستانو) یکی از سه حالت اصلی است که توسط آن پوسته‌های نازک به صورت برآرایی در سطح کریستالی یا سطح مشترک رشد می‌کنند. همچنین به عنوان «رشد لایه-به‌اضافه-جزیره» (به انگلیسی: 'layer-plus-island growth) شناخته می‌شود، حالت اس‌کی یک فرایند دو مرحله‌ای را دنبال می‌کند: در ابتدا، پوسته‌های کاملی از مواد جاذب، تا ضخامت چندین تک‌لایه، به صورت لایه-به-لایه روی یک زیرلایهٔ کریستالی رشد می‌کنند. فراتر از ضخامت لایه بحرانی، که به کُرنش و پتانسیل شیمیایی لایه رونشست‌شده (به انگلیسی: deposited) بستگی دارد، رشد از طریق هسته‌زایی و تلفیق «جزایر» جاذب ادامه می‌یابد.[۱][۲][۳][۴] این سازوکار رشد برای اولین بار توسط ایوان استرانسکیی و لیوبومیر کرستانوف درسال ۱۹۳۸ موردتوجه قرارگرفت.[۵] با این همه، تا سال ۱۹۵۸، در اثر مهم ارنست بائر که در مجله کریستالوگرافی منتشرشد، سازوکارهای اس‌کی، وًلمر-وبر و فرانک-وَن دِر مروه به‌طور روش‌مند به‌عنوان فرآیندهای رشد پوسته-نازک اصلی طبقه‌بندی شدند.[۶] از آن زمان، رشد اس‌کی موضوع تحقیقات مشتاقانه‌ای بوده‌است، نه تنها برای درک بهتر ترمودینامیک و سینتیک پیچیده در هسته تشکیل لایه نازک، بلکه به عنوان مسیری برای ساخت نانوساختارهای جدید برای کاربرد در صنعت ریزالکترونیک.
جستارهای وابسته
ویرایشمنابع
ویرایش- ↑ Venables, John (2000). Introduction to Surface and Thin Film Processes. Cambridge: Cambridge University Press. ISBN 0-521-62460-6.
- ↑ Pimpinelli, Alberto; Jacques Villain (1998). Physics of Crystal Growth. Cambridge: Cambridge University Press. ISBN 0-521-55198-6.
- ↑ Oura, K.; V.G. Lifshits; A.A. Saranin; A.V. Zotov; M. Katayama (2003). Surface Science: An Introduction. Berlin: Springer. ISBN 3-540-00545-5.
- ↑ Eaglesham, D.J.; M. Cerullo (April 1990). "Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si(100)". Physical Review Letters. 64 (16): 1943–1946. Bibcode:1990PhRvL..64.1943E. doi:10.1103/PhysRevLett.64.1943. PMID 10041534.
- ↑ Stranski, Ivan N.; Krastanow, Lubomir (1938). "Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander". Abhandlungen der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Klasse IIb. Akademie der Wissenschaften Wien. 146: 797–810.
- ↑ Bauer, Ernst (1958). "Phänomenologische Theorie der Kristallabscheidung an Oberflächen. I". Zeitschrift für Kristallographie. 110: 372–394. Bibcode:1958ZK....110..372B. doi:10.1524/zkri.1958.110.1-6.372.